檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "蔡孟霖".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="柯文政"
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氮化鎵於矽基板上成長時,因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力,造成高密度差排缺陷,降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層,提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料,垂直膜…
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目前LED基板使用為藍寶石基板,而氮化鎵與藍寶石基板間存在著高晶格不匹配度,致使氮化鎵薄膜內部產生 109~1010 cm2 之貫穿型差排缺陷,嚴重影響到後續 LED 元件光電性能。圖案藍寶石…
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本研究探討利用化學氣相沉積系統於二氧化矽/矽基板上成長二硫化鉬薄膜並分析其光電特性實驗中。分別利用熱蒸氣沉積以及熱蒸氣硫化兩種成長方法製備二硫化鉬薄膜。熱蒸氣沉積製備方法為將三氧化鉬粉末與硫粉在高溫…